1.廢硅泥烘干熱解去除水與揮發(fā)物;
2.用鹽酸.硝酸.乙酸.乙醇等濕法溶解除雜,清洗烘干得到高純硅粉;
3.把純單質(zhì)硅和高純二氧化硅進(jìn)行研磨至微米級以下,二者比例配比混合進(jìn)高溫真空熱解反應系統;
4.熱解反應形成的一氧化硅(氧化亞硅)進(jìn)行急冷,冷后的氧化亞硅再次研磨至微米級以下;
5.微米級亞硅與有機碳源、微米純碳等添加劑進(jìn)行配比混合均勻;
6.配比混合進(jìn)行無(wú)氧熱解炭化包覆氧化亞硅,冷卻包覆后物料再進(jìn)高溫無(wú)氧燒結系統,該次燒結可提高碳包覆氧化亞硅材料密度、硬度等性能;
7.燒結物料冷卻后三次高溫無(wú)氧燒結,這次燒結使碳包覆氧化亞硅材料提高電導率和電化學(xué)性;
8.冷卻碳包覆硅氧材料制成微米納米級,該碳包覆硅氧材料經(jīng)產(chǎn)品質(zhì)量檢測后密封包裝外售。
氧化亞硅SiOx體積膨脹遠小于晶體硅,但仍遠高石墨,因此SiOx材料研制仍考慮膨脹性問(wèn)題,減少SiOx循環(huán)中顆粒破碎和粉化,提高材料的循環(huán)壽命,因此納米化也是提升材料的循環(huán)和倍率性能。
該氧硅材料的首次效率僅為63%。為了從本質(zhì)提高SiOx材料的首次效率, Si-SiOx-C復合結構的碳硅負極材料,氧化亞硅納米顆粒表面包覆了一層多孔碳材料,提高了電化學(xué)性能,在0.06C下可逆容量達到1562mAh/g,首次效率達到80%,1C循環(huán)100次,容量保持率可達88%
優(yōu)點(diǎn): 對亞硅碳包覆表面改性,提高亞硅的流動(dòng)性,提高硅材料電導率、首次效率、容量率、膨脹率、循環(huán)性、電化學(xué)及壽命,降低膨脹率。
缺點(diǎn):成本高、首次率略差、膨脹略大、加工性差、循環(huán)差、倍率差。
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